Все повече се говори за Phase-Change RAM – обещаващата технология за запаметяване, която в последно време се спряга и като бъдещ заместител на флаш паметите. В края на миналата година тя дори беше обявена като една от десетте перспективни технологии на бъдещето и дори беше една от петте горещи теми на 2006-та, избрани за обсъждане на престижната конференция за електронни памети на IEEE през февруари. Причината общественото внимание да се насочи към тази технология това станаха няколко последователни представяния на работещи прототипи, които в края на миналата година направиха големите играчи в тази област - Samsung, Intel и IBM Research Labs.