Eнергонезависимата препрограмируема памет преминава в бъдещето

В днешни дни двата основни типа флаш памет NOR и NAND са особено популярни, но с наближаването на крайния им предел от възможности изниква нуждата от нещо радикално ново. Изследователите от университета в Пенсилвания, САЩ са готови с решението на проблема. Те са създали нов тип нелетлива памет, която е повече от 1000 пъти по-бърза от стандартните флаш чипове и може да съхранява информацията за 100 000 години. Освен това, за разлика от конвенционалната флаш памет, където записването на данни е ограничено до 8000 - 11000 пъти, при новата технология записването и четенето ще е почти неограничено.
Досега бяха извършвани много опити за разработването на ново поколение енергонезависима препрограмируема памет, но резултатите бяха необнадеждаващи и едва ли някога ще достигнат до поточната линия. Учените от университета в Пенсилвания са готови дори с архитектурата на новата памет. Чиповете ще се състоят главно от нанотръби, направени от германиев антимон телурид, материал способен да променя свойствата си, преминавайки от кристални в некристализирани структури.
Въпреки добрите новини, новата технология трябва да премине през редица тестове и едва ли можем да я очакваме на масовия пазар до края на това десетилетие.