Корпорацията Intel тази седмица заяви, че е направила пробив в търсенето на начин да направи транзисторите по-бързи и освен това консумиращи по-малко електроенергия. Това се постига чрез интегриране на high-k гейт с транзистор от смесен полупроводник. Резултатите са били представени тази седмица на International Electron Devices Meeting (IEDM) - международна среща по електронни устройства.
От известно време се обсъждаше възможността силициевият канал на транзистора да бъде заменен с материал от смесен полупроводников тип като InGaAs (индиев галиев арсенид). Досега, такива транзистори са използвали гейт на Шотки без никакъв диелектрик и бяха отхвърлени заради големите утечки. Идеята на Intel е следната: да се постави диелектрик от вида high-k и така утечките на тези QWFET (quantum well field effect transistor) драстично ще намалеят.
Изготвеният прототип е произведен върху силициева подложка, което означава, че за внедряването на новата технология няма да е необходима нова производствена база. А смяната на оборудването винаги е най-значимата "спънка" за комерсиализирането на повечето революционни разработки.
Чрез използване на high-k диелектрикът, утечките на намалени 1000 пъти (при късоканални устройства), а дебелината на електричният оксид е намалена с 33%. Това води до по-високи честоти и разбира се, повишаване на производителността на чипа.
Майк Мейбъри от Intel казва, че все още има работа за вършене по въпроса, но трябва да сме готови за по-нататъшен прогрес.
