Допреди няколко години бъдещето изглеждаше различно. И по-точно - считаше се, че силицият няма да бъде подходящ материал за производството на чипове след усвояването на 16-нанометровия процес. Причина за подобни твърдения бе очакването, че при такива размери на транзисторите голяма част от продукция ще е дефектна и инвестициите в производствена апаратура няма да бъдат оправдани. Днес за пореден път разбираме, че краят на силициевата литография отново се отлага... за неопределен период от време. Също така е ясно, че Intel имат намерението да "прескочат" 16 нанометра и директно да се спуснат към производството на чипове по 14-нанометров процес.

Пол Отелини, CEO-то на Intel, обяви плановете за строителство на поредната фабрика за производство на чипове. Тя ще бъде изградена в щата Аризона, стойността й възлиза на $5 милиарда и ще осигури около 1000 постоянни работни места. След завършване на строителната дейност фабриката ще започне производството на 14-нанометрови силициеви микросхеми с размер на пластината 300 мм. Новото предприятие е получило обозначение Fab 42, а първата продукцията се очаква през втората половина на 2013 г.

Източник: Overclockers.ru