PCM (Phase Change Memory) паметта се базира на специална сплав, която може да променя физическото си състояние, когато е подложена на влиянието на електрически потоци. Основните два проблема на технологията досега бяха, че в състоянието на покой сплавта постепенно увеличава своето ел. съпротивление и че една клетка можеше да съхранява само един бит информация. В подобрената версия на PCM обаче проблемът с бързото амортизиране е сведен до минимум и чиповете могат да се презаписват милиони пъти, за разлика от флаш паметите, които издържат хиляди. Една клетка пък вече съхранява четири бита информация.