Компанията Samsung вече обяви модули памет от тип DDR3, изградени по технология за триизмерно свързване между елементите във вътрешността на чиповете, наречена TSV – Through Silicon Via. Свързването по вертикала се осъществява посредством отвори в силициевата пластина, които биват запълнени с проводник (в конкретния случай – мед).

Спомената технология е позволила постигането на капацитет от 32 гигабайта при консумация само 4.5W – най-ниската стойност измежду паметите, ориентирани към корпоративния сегмент. Технологичният процес, по който са създадени чиповете, е 30-нанометров. Сайтът Koreaittimes.com съобщава, че Samsung планират миграция и към 20 нанометра с цел създаване на сървърни DDR3 модули с обем, по-голям от 32GB.

Източници: overclockers.ru; koreaittimes.com