Още на IDF Fall 2011 г. корпорацията Intel съвестно с Micron демонстрира интересна разработка, която получи названието Hybrid Memory Cube (HMC). По своята същност това е технология за създаване на триизмерни чипове, обединявайки няколко слоя DRAM памет в стек с обща управляваща логика. Триизмерната структура на Hybrid Memory Cube позволява постигането на 10- 15 пъти по-висока пропускателна способност в сравнение с DDR3 паметта. Също така и енергопотреблението за предаване на единица данни бива намалено със 70%.

През месец октомври бе създаден консорциума HMC, а задачата на участниците в него бе да стандартизират "кубичната памет" и да позволят тя да достигне различни пазарни ниши. Въпреки че имаше и скептицизъм около комерсиализацията на тази технология, IBM и Micron вече обявиха началото на производство на HMC памет.

Микросхемите ще се произвеждат във фабриките на IBM в щата Ню Йорк по 32-нанометровия технологичен процес. За начало новата технология ще намери приложение в клъстерите и центровете за данни, а след време ще слезе и в по-ниските пазарни сегменти.

Източник: www-03.ibm.com