Още на IDF Fall 2011 г. корпорацията Intel съвестно с Micron демонстрира интересна разработка, която получи названието Hybrid Memory Cube (HMC). По своята същност това е технология за създаване на триизмерни чипове, обединявайки няколко слоя DRAM памет в стек с обща управляваща логика. Триизмерната структура на Hybrid Memory Cube позволява постигането на 10- 15 пъти по-висока пропускателна способност в сравнение с DDR3 паметта. Също така и енергопотреблението за предаване на единица данни бива намалено със 70%.