Компанията Samsung вече обяви модули памет от тип DDR3, изградени по технология за триизмерно свързване между елементите във вътрешността на чиповете, наречена TSV – Through Silicon Via. Свързването по вертикала се осъществява посредством отвори в силициевата пластина, които биват запълнени с проводник (в конкретния случай – мед).